摘要 |
Bei einem als Differenzverstärker ausgebildeten Leseverstärker für einen Bipolar-Speicherbaustein zur Auswertung der Differenz der Leseströme in einer ersten und zweiten Bitleitung wird jeweils ein durch den Leseverstärker erzeugter Zusatzstrom in die den höheren Lesestrom führende Bitleitung eingespeist. Dadurch wird erreicht, daß die Zeitdauer, in der bei aufeinanderfolgenden Lesezugriffen zu verschiedenen Speicherzellen mit gleichem Informationsinhalt eine hohe Störanfälligkeit besteht, stark verkürzt wird. Damit können Lesezugriffe in kürzeren Zeitabständen erfolgen.
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