| 摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UNE NOUVELLE FACON DE COMBINER UN CERTAIN NOMBRE D'AMPLIFICATEURS ELEMENTAIRES REALISES SUR UNE MEME PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE, EN TRES HAUTE FREQUENCE (LA DIZAINE DE GHZ), EN VUE D'OBTENIR UN AMPLIFICATEUR MONOLITHIQUE DE PUISSANCE ELEVEE ET DE LARGE BANDE PASSANTE.L'AMPLIFICATEUR SELON L'INVENTION, COMPORTE A L'ENTREE, UNE PREMIERE LIGNE DE TRANSMISSION 100 DU TYPE MICROBANDE, COUDEE DE MANIERE A PRESENTER UNE BRANCHE 10 D'ENTREE ET UNE BRANCHE 20 DE DERIVATION OU LES ONDES REFLECHIES PAR SUITE DES DESADAPTATIONS SONT ABSORBEES DANS UNE CHARGE RESISTIVE 30. LA REGION COUDEE DE LA LIGNE 100 EST RACCORDEE A UNE RANGEE D'ELEMENTS CLC DE LIGNES DE TRANSFORMATION D'IMPEDANCE ALLANT AUX GRILLES (CAS DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP). IL COMPORTE A LA SORTIE, UNE DEUXIEME LIGNE MICROBANDE 200 PARALLELE A LA PREMIERE, RACCORDEE EN BIAIS A UNE RANGEE D'ELEMENTS ANALOGUES C; L; C A CEUX DE L'ENTREE DE L'AMPLIFICATEUR. |
