| 发明名称 |
Process of forming recessed dielectric regions in a silicon substrate. |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0046501(A1) |
申请公布日期 |
1982.03.03 |
| 申请号 |
EP19810105496 |
申请日期 |
1981.07.14 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
POGGE, HANS BERNHARD |
| 分类号 |
H01L21/76;G03F7/09;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
