Method for programming a monolithic integrated read-only memory.

摘要

Monolithisch integrierter Festwertspeicher mit parallelen Wortleitungen, diese kreuzenden Leseleitungen und an selektierten Kreuzungsstellen angeordneten Kopplungselementen, die über die Wortleitungen ansteuerbar sind und die Leseleitungen im leitenden Zustand mit dem Bezugspotential beschalten. Angestrebt wird hierbei eine flächensparende, auch nach dem Aufbringen der Metallisierungsebenen durchführbare Programmierung. Dies wird dadurch erreicht, daß an allen Kreuzungsstellen Feldeffekttransistoren vorgesehen sind, von denen die an den (nicht) selektierten Kreuzungsstellen angeordneten mittels eines ihre Kanalbereiche abtastenden Elektronenstrahls bezüglich der Ladungszustände ihrer Gate-Isolierschichten verändert werden, sodaß ihre hierdurch bedingten Einsatzspannungsänderungen ihren (Nicht-) Einsatz als Kopplungselemente bestimmen. Der Anwendungsbereich umfaßt programmierbare Festwertspeicher.