发明名称 PROCEDE DE FORMATION D'UN EVIDEMENT DANS UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR
摘要 <P>PROCEDE EVITANT LES CONTRAINTES RESIDUELLES.</P><P>IL CONSISTE A ENDOMMAGER SELECTIVEMENT LE CORPS SEMI-CONDUCTEUR 10 DANS LA ZONE 30 DE L'EVIDEMENT A FORMER, CET ENDOMMAGEMENT NE LAISSANT QUE DES CONTRAINTES RELATIVEMENT FAIBLES DANS L'EVIDEMENT, ET A SOUMETTRE LE CORPS A UNE ATTAQUE CHIMIQUE A SEC, AU MOINS AU NIVEAU DE LA ZONE ENDOMMAGEE, POUR ELIMINER PRATIQUEMENT LA TOTALITE DU MATERIAU ENDOMMAGE ET FORMER, DANS LE CORPS, UN EVIDEMENT 36 A FAIBLE CONTRAINTE.</P><P>APPLICATION AUX SEMI-CONDUCTEURS</P>
申请公布号 FR2489041(A1) 申请公布日期 1982.02.26
申请号 FR19810016226 申请日期 1981.08.25
申请人 GENERAL ELECTRIC CY 发明人 EDWARD GEORGE TEFFT ET BERNARD ROBERT TUFT;TUFT BERNARD ROBERT
分类号 H01L21/764;H01L21/301;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/322;H01L21/78 主分类号 H01L21/764
代理机构 代理人
主权项
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