发明名称 |
MOS POWER TRANSISTOR INPROVED FOR HIGH VOLTAGE PERFORMANCE |
摘要 |
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申请公布号 |
JPS5735376(A) |
申请公布日期 |
1982.02.25 |
申请号 |
JP19810056860 |
申请日期 |
1981.04.14 |
申请人 |
SUUPAATETSUKUSU INC |
发明人 |
RICHIYAADO EI BURANCHIYAADO |
分类号 |
H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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