| 摘要 |
L'invention concerne les transistors à effet de champ présentant un effet de mémoire non-volatile, du type MIS. Selon l'invention le transistor, comporte, outre le substrat (17) une source (21) et un drain (22), une grille composée d'une couche mince semi-isolante (18) et d'une couche isolante (19), dont la couche semi-isolante (18) est d'épaisseur inférieure à 100 angströms et est constituée d'un matériau semi-conducteur des groupes III-V, ayant une bande interdite plus grande que celle de la couche active (16) sur laquelle elle est déposée. Application aux transistors hyperfréquences pour télécommunications.
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