| 主权项 |
1.一种不产生通过半导体层之泄漏电流之半导体装置主要具有半导体层及提供给该半导体层之电极,其特征为:半导体层内具有将空隙充填之绝缘体。2.如请求专利范围第1.项之装置,其中,上述空隙为针孔。3.如请求专利范围第1.项之装置,其中,上述绝缘体为有机树脂。4.如请求专利范围第1.项之装置,其中,上述绝缘体系由半导体本身与其他物质间之化学反应而形成,该物质将空隙充填而且至少在经过化学反应后成为不导电。5.如请求专利范围第4.项之装置,其中,化学反应系因加热而发生。6.如请求专利范围第1.项之装置,其中,绝缘体系因感光而可硬化之树脂。7.如请求专利范围第1.项之装贵,其中,该装置系光电伏打装置。8.如请求专利范围第1.项之装置,其中,该装置系发光装置。9.一种不产生通过半导体层之泄漏电流之半导体装置之制造方法,主要具有形成半导体层之步骤及在半导体上形成电极之步骤,其特征为包括;在半导体层上形成电极之前,以绝缘体充填半导体层之空隙之步骤,并施加逆电压于半导体层之步骤。10.如申请专利范围第9.项之方法,其中,施加步骤系在高温下进行。11.如申请专利范围第9.项之方法,其中,逆电压低于半导体层之破坏电压。12.如申请专利范围第11.项之方法,其中,该温度系选定在不使半导体层之特性降低之不甚高之温度値。13.如申请专利范围第12.项之方法,其中,半导体装置包括互相串联之多个元件。14.如申请专利范围第13.项之方法,其中,施加步骤系以电压源及多値稽纳二极体执行,该稽纳二极体互相串联,施加于各元件之逆电压系由各二极体取出。图式简单说明:第1图为习用之太阳池之断面图。第2(A)图至第2(D)图为本发明之实施例之制程之断面图。第3图为时间与效率之关系之之图。第4(A)图至第4(D)图为本发明之另一实施例之断面固。第5图为本发明之另一实施例之等效电路。第6图为逆偏电压流响应逆偏压之倾向之图。第7(A)至第7(D)图为本发明之另一实施例之断面图。 |
