| 发明名称 |
DISPOSITIVO DI MEMORIA A SEMICONDUTTORI E PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE DI ESSO. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8219466(D0) |
申请公布日期 |
1982.02.04 |
| 申请号 |
IT19820019466 |
申请日期 |
1982.02.04 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
NOBUYOSHI TANIMURA;TOKUMASA YASUI |
| 分类号 |
G11C11/417;G11C11/412;H01L21/02;H01L21/3215;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/092;H01L27/11;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
G11C11/417 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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