发明名称 PROCEDE DE REALISATION D'UNE COUCHE EN SILICIUM AMORPHE ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE METTANT EN OEUVRE CE PROCEDE
摘要 <P>LE PROCEDE DE L'INVENTION COMPREND AU MOINS DEUX ETAPES, LA DEUXIEME ETAPE POUVANT ETRE REALISEE SUIVANT PLUSIEURS VARIANTES. PENDANT LA PREMIERE ETAPE, COMMUNE A TOUTES LES VARIANTES, UNE COUCHE MINCE DE METAL 102, PAR EXEMPLE DU PLATINE, EST DISPOSEE SUR LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE 101. LA SECONDE ETAPE, SELON LA VARIANTE PREFEREE CONSISTE EN UN TRAITEMENT THERMIQUE PENDANT LEQUEL LA COUCHE DE METAL 102 EST EXPOSEE A UN PLASMA D'HYDROGENE OU DE L'UN DE SES ISOTOPES. LA COUCHE DE METAL 102 JOUE UN ROLE DE FILTRAGE DES IONS D'HYDROGENE ET DE PROTECTION DE LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE 101.</P><P>APPLICATION A LA REALISATION DE DISPOSITIFS DE CONVERSION PHOTOELECTRIQUES 10 COMPRENANT AU MOINS UNE COUCHE DE SILICIUM AMORPHE 101 REALISEE SELON CE PROCEDE.</P>
申请公布号 FR2487585(A1) 申请公布日期 1982.01.29
申请号 FR19800016492 申请日期 1980.07.25
申请人 THOMSON CSF 发明人 DOMINIQUE DIEUMEGARD ET ALAIN FRIEDERICH
分类号 H01L31/07;H01L31/20;(IPC1-7):01L31/18;01L21/322 主分类号 H01L31/07
代理机构 代理人
主权项
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