| 摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf einen Thyristor mit als MIS-Strukturen ausgebildeten, steuerbaren Emitterkurzschlüssen (M1), die randseitig zu n(p)-Emittergebieten (1a) vorgesehen sind. Die mit einem Steueranschluß (G) verbundenen Gates (14) der MIS-Strukturen (M1) sind mit einem die Emitterkurzschlüsse für die Dauer des Zündvorgangs aufhebenden Spannungsimpuls beschaltbar. Eine einfache und leicht herzustellende Ausführungsform eines solchen Thyristors wird dadurch erreicht, daß jede MIS-Struktur (M1) ein im Abstand zu einem n(p)-Emittergebiet (1a) in die p(n)-Basisschicht (2) eingefügtes n(p)-Kurzschlußgebiet (8) aufweist, das über eine leitende Belegung (16) mit der p(n)-Basisschicht (2) verbunden ist. Das Anwendungsgebiet des Thyristors umfasst die Leistungshalbleitertechnik.
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