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<P>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>UN TRANSISTOR DE PUISSANCE A STRUCTURE MESA DANS LEQUEL LA SOURCE 16, LE CANAL 14 ET LE DRAIN 10, 12 SONT FABRIQUES DANS LA STRUCTURE MESA AVEC CONFIGURATION VERTICALE, COMPORTE UNE PLAQUE DE CHAMP 26 A LA SURFACE DE LA STRUCTURE MESA AINSI QUE DANS LA REGION EN RETRAIT QUI ENTOURE CETTE STRUCTURE. EN OUTRE, UN ANNEAU DE LIMITATION DES CHARGES 30 EST PLACE DANS LA REGION EN RETRAIT, EN ETANT SITUE A UNE CERTAINE DISTANCE DE LA PLAQUE DE CHAMP, ET EN CONTACT AVEC LA REGION DE DRAIN DU TRANSISTOR.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DES TRANSISTORS DE PUISSANCE.</P>
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