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<P>A.LASER A SEMI-CONDUCTEUR,</P><P>B.LASER CARACTERISE EN CE QU'IL COMPORTE UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 2 AVEC UNE GORGE 3, UNE COUCHE ACTIVE SEMI-CONDUCTRICE 6, UNE PAIRE DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES 7, 8 EN ENSERRANT CETTE COUCHE ACTIVE ET UNE JONCTION P-N 10.</P><P>C.L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX LASERS A STRUCTURE DH.</P>
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