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Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte MIS-Halbleiterschaltung mit einem Substratvorspannungsgenerator, insbesondere einem dynamischen RAM-Speicher. Das Ziel der Erfindung ist dabei, Schwankungen der effektiven Substratvorspannung, die vom Substratvorspannungsgenerator nicht unmittelbar ausgeglichen werden können, zu unterbinden. Ursache für solche Schwankungen sind z.B. durch die Auf- und Entladung von in Form von Diffusionsgebieten vorliegenden Adressierleitungen bei dynamischen RAM-Speichern. Gemäß der Erfindung wird die Verwendung einer Kompensationskapazität vorgeschlagen, deren einer Pol mit dem Substrat der Halbleiterschaltung verbunden bzw. mit diesem identisch ist. Der Ladezustand dieser Kompensationskapazität wird jeweils in entgegengesetzter Richtung wie der resultierende Ladezustand der die Substratvorspannung beeinflussenden Kapazität der MIS-Halbleiterschaltung gesteuert.
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