发明名称 DIODE DE TYPE SCHOTTKY ALUMINIUM-SILICIUM, PROCEDE PERMETTANT SA FABRICATION ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE TELLE DIODE
摘要 <P>DIODE DE TYPE SCHOTTKY DONT LA BARRIERE 14 EST SITUEE A L'INTERFACE D'UNE ELECTRODE METALLIQUE MULTICOUCHE 13 ET D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 10.</P><P>L'ELECTRODE METALLIQUE PRESENTE UNE MINCE COUCHE INFERIEURE 131 D'ALUMINIUM, EN CONTACT AVEC LE SUBSTRAT, UNE COUCHE SUPERIEURE 133 D'ALUMINIUM ET UNE COUCHE INTERMEDIAIRE 132 EN UN METAL DE TRANSITION.</P><P>APPLICATION, NOTAMMENT, AUX DIODES SCHOTTKY REALISEES DANS LES CIRCUITS INTEGRES LOGIQUES.</P>
申请公布号 FR2485809(A1) 申请公布日期 1981.12.31
申请号 FR19800014397 申请日期 1980.06.27
申请人 RADIOTECHNIQUE COMPELEC 发明人 GEORGE KERR
分类号 H01L29/872;H01L21/285;H01L29/47;(IPC1-7):H01L29/48;H01L27/06;H01L29/46 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
主权项
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