| 摘要 |
<p>L'invention concerne un inverseur logique rapide, en circuit intégré, à source unique d'alimentation, utilisant les transistors à effet de champ du type "quasi-normalement bloqué", et les opérateurs logiques à plusieurs entrées et à plusieurs sorties qui en dérivent. Dans une réalisation de l'invention (figure 6) on est parti d'un inverseur à entrée par diode (DS) sur grille de transistor à effet de champ (T1), à sortie sur la source d'un transistor à effet de champ (T21). Ce schéma ds base a été enrichi en dotant l'entrée (entre pôle d'alimentation et borne d'entrée) de deux paires de diodes aboutissant aux grilles d'un transistor bigrille (T1), et en réalisant des sorties indépendantes (S1, S2...) obtenues en reliant les grilles de transistors montés en drain commun sur le pôle de l'alimentation distinct de la masse. Application à la logique rapide sur arséniure de gallium.</p> |
