FABRICATION MOS AUTO-ALIGNEE

摘要

PROCEDE POUR LA FABRICATION D'UNE STRUCTURE MOS A DIMENSIONS LIMITEES, SUIVANT LEQUEL DU SILICIUM POLYCRISTALLIN EST LOCALEMENT OXYDE POUR L'OBTENTION ET L'ISOLATION D'UNE PREMIERE COUCHE DE SILICIUM. AVANT L'ATTAQUE CHIMIQUE DE LA PREMIERE COUCHE DE SILICIUM, ON DEFINIT PAR UN PREMIER MASQUAGE L'UN DES ELEMENTS DU TRANSISTOR MOS, PAR EXEMPLE LA SOURCE. PAR UNE ATTAQUE CHIMIQUE SELECTIVE DE LA PREMIERE COUCHE DE SILICIUM ON DEFINIT LES ZONES D'ISOLATION ET ENSUITE LES AUTRES ELEMENTS DU TRANSISTOR MOS. EN N'APPORTANT QUE DE LEGERES MODIFICATIONS AU PROCEDE SIMPLIFIE, ON PEUT REALISER SOIT UN GRAND NOMBRE DE CELLULES DE MEMOIRE CONSTITUEES PAR UN TRANSISTOR MOS ET UN CONDENSATEUR, SOIT UN GRAND NOMBRE DE TRANSISTORS MOS.

APPLICATION: FABRICATION DE SEMICONDUCTEURS.