| 摘要 |
<P>UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE DMOS COMPORTE UNE COUCHE SEMICONDUCTRICE DE FORMATION DE CHAMP 30A, 30B, QUI SERT A AMELIORER LES CARACTERISTIQUES DE TENSION DE CLAQUAGE ETOU DE RESISTANCE SERIE DU DISPOSITIF. LA COUCHE DE FORMATION DE CHAMP 30A, 30B SERT A REDISTRIBUER, EN FONCTIONNEMENT, L'INTENSITE DE CHAMP ELECTRIQUE DANS LEDIT DISPOSITIF POUR ELIMINER UNE TROP GRANDE INTENSITE DE CHAMP ELECTRIQUE DU DISPOSITIF DANS DES PARTIES QUI, NORMALEMENT, SERAIENT LES PREMIERES A DONNER LIEU A UN CLAQUAGE. LA COUCHE DE FORMATION DE CHAMP PEUT ETRE UNE COUCHE ENTERREE 30A, UNE COUCHE SUPERFICIELLE 30B OU UNE COMBINAISON D'UNE COUCHE ENTERREE 30A ET D'UNE COUCHE SUPERFICIELLE 30B.</P><P>APPLICATION: TRANSISTORS LATERAUX A EFFET DE CHAMP</P> |
