| 摘要 |
<P>A.L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE POUR PRODUIRE UN CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR A COMPOSES DES GROUPES II-IV EN FAISANT CROITRE UN CRISTAL EN PHASE LIQUIDE PAR DIFFERENCE DE TEMPERATURE.</P><P>B.ON UTILISE TE COMME COMPOSANT PRINCIPAL D'UN SOLVANT ET ON FAIT CROITRE LE CRISTAL DANS DES CONDITIONS TELLES QUE LA PRESSION DE VAPEUR DE L'ELEMENT DU GROUPE VI AUTRE QUE TE EST MAINTENUE A UNE VALEUR DETERMINEE, CET ELEMENT DU GROUPE VI ETANT UN COMPOSANT DU CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR CI-DESSUS.</P><P>C.CE PROCEDE PERMET D'OBTENIR AVEC DES COMPOSES DES GROUPES II-VI DES CRISTAUX AYANT DES PROPRIETES PARTICULIERES QUI NE PEUVENT PAS ETRE OBTENUES AVEC DES ELEMENTS DE GROUPES III-V.</P> |
