| 发明名称 |
PROCEDE POUR LA FABRICATION DE JONCTION PN DE SEMI-CONDUCTEURS |
| 摘要 |
<P>A.PROCEDE POUR LA FABRICATION DE JONCTION PN DE SEMI-CONDUCTEUR.</P><P>B.PROCEDE CARACTERISE EN CE QUE, POUR CREER UNE JONCTION PN AVEC UN SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE DU GROUPE II-VI, CONTENANT DU ZN, ON PREPARE UN CRISTAL D'UN SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE DU GROUPE II-VI EN UTILISANT UN PROCEDE D'ACCROISSEMENT DU CRISTAL EN PHASE LIQUIDE, ET PAR UN RECUIT THERMIQUE DUDIT CRISTAL DANS UNE ATMOSPHERE DE ZN.</P><P>C.L'INVENTION EST APPLICABLE A UNE JONCTION PN DANS UN CRISTAL ENTRANT DANS LA FABRICATION DES SEMI-CONDUCTEURS ET EN PARTICULIER AUX DIODES EMETTRICES DE LUMIERE.</P>
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| 申请公布号 |
FR2484702(A1) |
申请公布日期 |
1981.12.18 |
| 申请号 |
FR19810011863 |
申请日期 |
1981.06.16 |
| 申请人 |
NISHIZAWA JUN ICHI |
发明人 |
JUN-ICHI NISHIZAWA, KAZUOMI ITO ET YASUO OKUNO;ITO KAZUOMI;OKUNO YASUO |
| 分类号 |
C30B31/04;H01L21/368;H01L21/383;H01L21/385;H01L21/40;H01L29/227;H01L33/28;H01L33/40 |
主分类号 |
C30B31/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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