| 发明名称 |
Method for preparing the following bonding of silicon devices provided with an aluminium layer. |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Passivieren von mit einer Aluminiummetallisierung (5) versehenen Siliciumbauelementen durch Aufbringen mindestens einer Siliciumschicht (6), bei dem die Bauelemente zum Zwecke der anschließenden Kontaktierung nach dem Aufbringen der Siliciumschicht (6) bei einer Siliciumschichtdicke von mehr als etwa 0, 1µm bei einer Temperatur von 480°C bis 570°C und bei einer Siliciumschichtdicke bis 0, 1µm bei einer Temperatur von 400°C bis 500°C getempert werden. Die Erfindung ist zur Herstellung von Halbleiterscheiben mit Mesa- oder Planarstrukturen, die eine Aluminium-Metallisierung aufweisen, verwendbar.</p> |
| 申请公布号 |
EP0041684(A1) |
申请公布日期 |
1981.12.16 |
| 申请号 |
EP19810104220 |
申请日期 |
1981.06.02 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
DATHE, JOACHIM, DIPL.-PHYS. |
| 分类号 |
H01L23/52;H01L21/314;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/56;H01L21/60;(IPC1-7):01L21/56;01L21/31 |
主分类号 |
H01L23/52 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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