发明名称 |
METHOD OF MANUFACTURING MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE |
摘要 |
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申请公布号 |
JPS56160074(A) |
申请公布日期 |
1981.12.09 |
申请号 |
JP19810058661 |
申请日期 |
1981.04.20 |
申请人 |
HUGHES AIRCRAFT CO |
发明人 |
RICHIYAADO SHII HENDAASON |
分类号 |
H01L21/033;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/76;H01L21/8236;H01L27/088;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/033 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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