MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO NO VOLATIL.

摘要

SE PRESENTA UNA MEMORIA NO VOLATIL DE ACCESO ALEATORIO QUE TIENE UN SUBSTRATO (50) QUE SOPORTA EXTENSIONES SEPARADAS MAGNETICAMENTE POLARIZABLES (19) CADA UNA DE ELLAS RODEADA POR UN MIEMBRO EN FORMA DE CIRCUITO DE ESCRITURA COMPLETA (18) Y DISPUESTA PARA PENETRAR EN EL CANAL HALL (36) DE UN FET DE DESCARGA DOBLE (16) CON SU CAMPO MAGNETICO RESIDUAL. LAS EXTENSIONES ESTAN ORGANIZADAS EN FILAS DE PALABRAS Y COLUMNAS DE BITS, CADA UNA DE ELLAS ESCRITA MEDIANTE UNA CORRIENTE SIMPLE DE ESCRITURA COMPLETA A TRAVES DEL MIEMBRO DE CIRCUITO CIRCUNDANTE Y CADA UNA DE ELLAS LEIDA POR UN COMPARADOR CONECTADO A LOS DRENAJES DEL FET (42, 52''). LA MEMORIA PUEDE FABRICARSE EN UNA VARIEDAD DE FORMAS (POR EJEMPLO UNA TARJETA PLANA).