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摘要 <p>PURPOSE:Surface barrier type voltage nonlinear resitor in which varister characteristic is obtained by installing non-ohmic electrode on oxide semiconductor such as zinc oxide thereby producing barrier in the interface between them.</p>
申请公布号 JPS5650402(B2) 申请公布日期 1981.11.28
申请号 JP19750139851 申请日期 1975.11.20
申请人 发明人
分类号 H01C7/10 主分类号 H01C7/10
代理机构 代理人
主权项
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