| 摘要 |
La commande par mode longitudinal, permettant ainsi d'obtenir des dispositifs plus utiles, est effectuee par un laser a semi-conducteur a heterojonctions (201-208) par dopage de la region active (203) du laser avec un piege a trou ou electronique a niveau profond. le piege est choisi de maniere a avoir une section de capture porteuse (Alpha)o et une section optique (Alpha)o de telle sorte que le rapport de P, representant le nombre moyens de photons par centimetre cube, sur Ps soit compris entre 0,1 et 100, ou Ps est egale a (N(Alpha)e V(Alpha)oCo), N est la densite porteuse, V est la vitesse thermique porteuse, et Co est la vitesse de la lumiere dans le materiau. Dans un mode specifique de realisation, la region active est bombardee par des photons pour obtenir des pieges electroniques a niveau profond dans la region active. |
