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L'invention concerne un composant opto-électonique comprenant un guide optique semi-conducteur comportant un coeur actif comprenant une structure à puits quantiques (MPQ, MPQ1, MPQ2) à base de AlxlnyGazN, avec x, y, z fractions molaires comprises entre 0 et 1, insérée entre des couches de contact ohmique, à la surface d'un substrat (S), caractérisé en ce que le coeur actif comprend en outre au moins une couche de fort indice optique (CF, CF1, CF2) en un premier matériau semiconducteur à base de niture d'indium , ledit indice étant plus élevé que celui de ladite structure et en ce qu'il comprend des couches de confinement optiques (CO1, CO2, CO) réalisées à partir d'un second matériau semiconducteur à forte mobilité électronique de type GaN dopé n ou AIGaN dopé n, lesdites couches de confinement optique étant les couches de contact ohmique.Applications : Modulateur fonctionnant à plusieurs centaines de GHz
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