用于化学机械平坦化的含有二羟乙基甘胺酸/三羟甲基甲基甘胺酸的组合物及方法

摘要

本发明说明一种用于化学机械平坦化(或其他研磨)的组合物及其相关方法。该组合物包含研磨剂及三羟甲基甲基甘胺酸型或二羟乙基甘胺酸型化合物。相较于钽和介电材料，该组合物用于铜之移除时具有高度选择性，同时可将CMP的局部凹状扭曲和浸蚀效应降至最低。该组合物可复包含氧化剂，其中该组合物在与金属CMP应用(例如，铜的CMP)有关的方法方面特别有用。

主权项

1.一种研磨组合物,包含: a)研磨剂;以及 b)具有以下结构之三羟甲基甲基甘胺酸型或二羟 乙基甘胺酸型化合物: C[{(CH2)n-A}{(CH2)m-B}{(CH2)p-D}]-N(R1)-(CH2)q-COOH 或 [{(CH2)n-A}{(CH2)m-B}]-N-(CH2)q-COOH 式中n、m、p及q独立地为1至3;A、B及D系独立地选自 氢、羟基、氯、氟、溴及烷氧基所组成的族群;且 R1系选自氢及C1-C3烷基所组成的族群。 2.如申请专利范围第1项之研磨组合物,其中该研磨 剂系胶态研磨剂。 3.如申请专利范围第1项之研磨组合物,其进一步包 含c)氧化剂。 4.如申请专利范围第1项之研磨组合物,其中该研磨 剂系二氧化矽。 5.一种研磨的方法,该方法包含以下的步骤: A)放置使基材与研磨垫接触; B)递送研磨组合物,其包含:a)研磨剂;以及b)具有以 下结构之三羟甲基甲基甘胺酸型或二羟乙基甘胺 酸型化合物: C[{(CH2)n-A}{(CH2)m-B}{(CH2)p-D}]-N(R1)-(CH2)q-COOH 或 [{(CH2)n-A}{(CH2)m-B}]-N-(CH2)q-COOH 式中n、m、p及q独立地为1至3;A、B及D系独立地选自 氢、羟基、氯、氟、溴及烷氧基所组成的族群;且 R1系选自氢及C1-C3烷基所组成的族群;以及 C)利用该研磨组合物研磨该基材。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该研磨剂系胶 态研磨剂。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中该组合物进一 步包含c)氧化剂。 8.如申请专利范围第5项之方法,其中该研磨剂系二 氧化矽。 9.如申请专利范围第5项之方法,其中该研磨组合物 具有介于6.5至8.5之pH。