| 主权项 |
1.一种从晶圆制造氮化镓化合物半导体晶片之方 法,该晶圆在一基板的主要表面上层叠有氮化镓化 合物半导体层,该方法包含下列步骤: 藉由在该晶圆的氮化镓化合物半导体层(2,3)之一 侧作蚀刻,线性地形成期望晶片形状的第一凹槽(11 )之步骤; 在该晶圆的基板(1)一侧上,在与第一凹槽中线非一 致的位置,形成具有线宽(W2)的第二凹槽(22)之步骤, 其中线宽(W2)接近等于或小于第一凹槽的线宽(W1); 及 沿着该第一和第二凹槽,将该晶圆分割成多个晶片 形状之步骤。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板系由蓝 宝石形成的,以蓝宝石基板的C表面当作主要表面, 该第一和第二凹槽系分别沿着平行于定向面(11-20) 之第一方向和正交该第一方向之第二方向形成,及 沿着第一和第二凹槽将晶圆予以分割。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中当俯视基板时 ,和该第一凹槽中线不一致的位置,系相对于第一 凹槽的中线,偏离第一凹槽之线宽(W1)20到100%。 4.如申请专利范围第2项之方法,其中当俯视基板时 ,和该第一凹槽中线不一致的位置,系相对于第一 凹槽的中线,偏离第一凹槽之线宽(W1)20到100%。 5.如申请专利范围第1项到第4项中任一项之方法, 其中在形成第二凹槽之步骤,形成第二凹槽使得倾 斜地分割的晶片假设具有60~85角度范围之切割面 。 6.如申请专利范围第1项到第4项中任一项之方法, 其中还包含:在形成第二凹槽之前,研磨基板侧之 步骤,以调整基板的厚度在60到100m之范围内。 7.如申请专利范围第1项到第4项中任一项之方法, 其中该第一凹槽系面对用以形成氮化镓化合物半 导体晶片的电极之电极形成表面。 8.如申请专利范围第1项到第4项中任一项之方法, 其中该第二凹槽系藉由选择自由蚀刻,晶片切割, 脉冲雷射和划片机组成之群组的至少一种方法所 形成。 9.如申请专利范围第1项到第4项中任一项之方法, 其中该基板系由六方晶系的SiC形成的。 10.如申请专利范围第1项到第4项中任一项之方法, 其中该基板系由六方晶系的氮化物半导体形成的 。 11.如申请专利范围第1项到第4项中任一项之方法, 其中该基板系由六方晶系的GaN形成的。 图式简单说明: 第1图为本发明用以制造半导体晶片之方法的晶圆 横截面图; 第2图为本发明用以制造半导体晶片之方法的晶圆 横截面图; 第3图为本发明形成在氮化物半导体层侧上之第一 凹槽的一个范例图;及 第4图为传统方法之晶圆的横截面图。 |
