| 发明名称 |
GROWING METHOD IN GAS PHASE OF SEMICONDUCTOR OF COMPOUND OF 3-5 GROUP ELEMENT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS56145200(A) |
申请公布日期 |
1981.11.11 |
| 申请号 |
JP19800049661 |
申请日期 |
1980.04.15 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
DOUSEN MASASHI;KATOU YOUJI;MORISANE KENJI |
| 分类号 |
C30B25/02;C01G28/00;C30B29/40;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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