发明名称 Laser diode.
摘要 Vierschicht-Diode mit für die Laser-Streustrahlung und für die spontane Emission durchlässiger vierter Schicht, und mit Rückreflexion an der äußeren (Kontakt-)Oberfläche. Solche Dioden bzw. die angelieferten Scheiben mit Epitaxialschicht können vor Anbringung des Kontakts mit Fluoreszenzanregung überprüft werden.
申请公布号 EP0038981(A1) 申请公布日期 1981.11.04
申请号 EP19810102765 申请日期 1981.04.10
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 ZSCHAUER, KARLHEINZ, DR.
分类号 H01S5/00;H01S5/20;(IPC1-7):H01S3/19 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
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