Method of making photoresist structures for integrated circuits.

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Fotolackstrukturen für Halbleiterschaltungen. Dabei wird die zuerst aufgebrachte Fotolackmaske (3) von der nachfolgend aufzubringenden Fotolackschicht (63) in der Weise aufgenommen, daß sie von dem Fotolack (6) der zweiten Fotolackschicht (63) gelöst wird. Auf diese Weise wird eine bessere Haftung der Fotolackstrukturen auf dem Substrat erreicht und gleichzeitig Prozeßschritte eingespart. Das Verfahren wird verwendet für alle Prozesse bei der Herstellung von Halbleiterschaltungen, bei denen mindestens zwei Fotolithografieprozesse ohne Zwischenschalten einer Hochtemperaturbehandlung angewandt werden.