| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung eines Siliciumdioxidgranulates mit einer spezifischen Oberfläche von weniger als 1 m<SUP>2</SUP>/g und einem Anteil an Verunreinigungen von weniger als 50 ppm, bei dem man a)on 15 bis 190 g/l, b) zu Schülpen kompaktiert und tücke eine Stampfdichte von 210 bis 800 g/l aufweisen, und c) die Schülpenbruchstücke bei 400 bis 1100°C mit einer oder mehreren reaktiven Verbindungen behandelt.
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