| 摘要 |
METODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR GENERADOR DE ELECTRONES. CONSISTE EN UTILIZAR UN CUERPO SEMICONDUCTOR (1), POR EJEMPLO, DE SILICIO, CON UNA REGION DEL TIPO "U" EN LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR, FORMANDO EL CONJUNTO UNA UNION "P-N". SOBRE LA SUPERFICIE DEL CUERPO (1) SE DEPOSITA UNA CAPA ELECTRICAMENTE AISLANTE (7) DE OXIDO DE SILICIO, EFECTUANDOSE DESPUES UNA ABERTURA (8), PRODUCIENDOSE EN ESTA UNA ZONA DE AGOTAMIENTO Y DANDO COMO RESULTADO UNA TENSION DE DESCARGA DISRUPTIVA MAS PEQUEÑA QUE EN EL RESTO DEL CUERPO SEMICONDUCTOR, Y COMO RESULTADO UNA GENERACION DE HAZ DE ELECTRONES (6). |
