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<P>PROCEDE DE TRAITEMENT THERMIQUE SELECTIF DE MATERIAUX A BASE DE DIOXYDE DE SILICIUM.</P><P>ON UTILISE UN LASER AU GAZ CARBONIQUE CO ACCORDABLE 30 POUR CHAUFFER SELECTIVEMENT DIVERS MATERIAUX A BASE DE DIOXYDE DE SILICIUM SIO 12 A DES TEMPERATURES ELEVEES TOUT EN MAINTENANT UNE REGION DE DISPOSITIF ACTIVE 14 A DES TEMPERATURES RELATIVEMENT BASSES, PAR EXEMPLE POUR PROVOQUER UNE DENSIFICATION ETOU UN ECOULEMENT DU MATERIAU A BASE DE DIOXYDE DE SILICIUM 12 AFIN D'ARRONDIR DES ARETES VIVES ET DES IRREGULARITES 13A, 13B.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS ET, NOTAMMENT, DE TRANSISTORS MOS.</P>
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