| 摘要 |
〔课题〕提供一种在CMP加工等当中，在强的磁通不会到达装置晶圆所形成的元件等之情况下，可精确地测定导电性膜之膜厚的膜厚测定装置。〔解决手段〕使线圈103与晶圆102的表面对向并取间隔配置，使晶圆平台101朝X、Y方向或R、θ方向移动。当一边利用阻抗分析仪105扫描频率，一边朝线圈103供给交流电流时，诱发于线圈103的磁场系作用于晶圆102的导电性膜。透过使影响导电性膜的集肤效应之参数（频率或角度）变化并赋予线圈103，可形成使磁场朝晶圆102的膜内相对贯通状态、及未朝膜内相对贯通的状态。从与受导电性膜之集肤效应所影响的状态变化而诱发之涡电流相对应的诸量之变化，可精确地测定晶圆102之膜厚。 |
