| 发明名称 |
磊晶生长用模板及其制作方法以及氮化物半导体装置 |
| 摘要 |
磊晶生长用模板之制作方法，具有：对蓝宝石基板之表面分散供给Ga原子之表面处理工程，和在上述蓝宝石基板上使AlN层磊晶生长之AlN生长工程，取得在除了从上述AlN层之表面深达100nm的表面附近区域外的上述AlN层之内部区域中，藉由二次离子质谱分析法所取得之Ga浓度之垂直于上述蓝宝石基板表面之深度方向的浓度分布中之上述Ga浓度之最大值的上述深度方向之位置，存在于从上述蓝宝石基板之界面朝上述AlN层侧间隔开400nm之位置的界面附近区域内，上述Ga浓度之最大值成为3×1017atoms/cm3以上、2×1020atoms/cm3以下。
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| 申请公布号 |
TWI534861 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
| 申请号 |
TW103135525 |
申请日期 |
2014.10.14 |
| 申请人 |
创光科学股份有限公司 |
发明人 |
贝诺 希利尔;平野光 |
| 分类号 |
H01L21/20(2006.01);H01L21/86(2006.01);H01L29/12(2006.01);H01L29/201(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种模板之制作方法，系成为在蓝宝石基板之表面上具有AlN层，并使GaN系化合物半导体层磊晶生长之基底的模板之制作方法，其特征在于：具有对蓝宝石基板之表面分散供给Ga原子之表面处理工程，和在上述蓝宝石基板上使AlN层磊晶生长之AlN生长工程，取得在除了从上述AlN层之表面深达100nm的表面附近区域外的上述AlN层之内部区域中，藉由二次离子质谱分析法所取得之Ga浓度之垂直于上述蓝宝石基板表面之深度方向的浓度分布中之上述Ga浓度之最大值的上述深度方向之位置，存在于从上述蓝宝石基板之界面朝上述AlN层侧间隔开400nm之位置的界面附近区域内，上述Ga浓度之最大值成为3×1017atoms/cm3以上、2×1020atoms/cm3以下。
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| 地址 |
日本 |
