OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

목적은 바람직하게는 반도체 장치에 사용하는 새로운 구조를 갖는 산화물 반도체층을 제공하는 것이다. 대안으로, 또 다른 목적은 새로운 구조를 갖는 산화물 반도체층을 사용하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 산화물 반도체층은 주로 비정질인 비정질 영역 및 표면 근방에 InGaZnO의 결정립을 함유하는 결정 영역을 포함하고, 표면 근방에서 결정립은 c축이 표면에 대하여 거의 수직이 되도록 배향되어 있다. 대안으로, 반도체 장치는 이러한 산화물 반도체층을 사용한다.