发明名称 ETCHING METHOD, ETCHING DEVICE, AND STORAGE MEDIUM
摘要 [과제] 에칭액을 전부 교환하지 않으면서, 웨이퍼로부터 용출되는, 에칭액 내의 용출 성분의 농도를 결정된 일정한 범위로 유지하여, 웨이퍼에 대하여 정밀하게 에칭 처리를 실시한다. [해결수단] 에칭 방법은, 복수의 에칭 공정과, 각 에칭 공정 사이의 인터벌 공정을 구비하고 있다. 각 에칭 공정은, 에칭 처리에 제공된 에칭액을 제1 설정량만큼 배출하고, 신규 에칭액을 제2 설정량만큼 공급하는 제1 부분 교환 패턴을 포함한다. 인터벌 공정은, 에칭 처리에 제공된 에칭액을 제3 설정량만큼 배출하고, 신규 에칭액을 제4 설정량만큼 공급하는 제2 부분 교환 패턴을 포함한다.
申请公布号 KR20160064101(A) 申请公布日期 2016.06.07
申请号 KR20167007674 申请日期 2014.09.19
申请人 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 FURUKAWA TAKAHIRO;FUTAMATA YUSUKE;SATO HIDEAKI;HARA HIROMI;KAWAZU TAKAHIRO;SHIOKAWA TOSHIYUKI;SATOH TAKAMI
分类号 H01L21/311;H01L21/306;H01L21/3213;H01L21/67 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人
主权项
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