发明名称 一种碳化硅化学气相沉积设备及方法
摘要 本发明提供了一种碳化硅化学气相沉积设备,包括:化学气相沉积室;与所述化学气相沉积室相通的惰性气体进气管道;与所述化学气相沉积室相通的工艺气体进气管道,所述工艺气体进气管道包括:与所述化学气相沉积室相通的混合装置,分别与所述混合装置相连通的第一、第二、第三和第四工艺气体进气管道;每一路工艺气体进气管道上都依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器。本发明还提供了一种碳化硅化学气相沉积方法,首先采用体积流量计然后采用质量流量控制器对所述工艺气体进行计量。通过对工艺气体的准确计量,实现了碳化硅化学气相沉积工艺的高精度控制。
申请公布号 CN104233221B 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201410473065.8 申请日期 2014.09.17
申请人 湖南顶立科技有限公司 发明人 戴煜;胡祥龙;周岳兵
分类号 C23C16/32(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 主分类号 C23C16/32(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 赵青朵
主权项 一种碳化硅化学气相沉积设备,其特征在于,包括:化学气相沉积室;与所述化学气相沉积室相通的惰性气体进气管道;与所述化学气相沉积室相通的工艺气体进气管道,所述工艺气体进气管道包括:与所述化学气相沉积室相通的混合装置,分别与所述混合装置相连通的第一工艺气体进气管道、第二工艺气体进气管道、第三工艺气体进气管道和第四工艺气体进气管道;所述第一工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器;所述第二工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器;所述第三工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器;所述第四工艺气体进气管道上依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器。
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