| 摘要 |
본 발명은 기재; 보호층; 이들 사이에 형성된 게이트 절연층; 게이트 절연층과 접하도록 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 적어도 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되며, 게이트 절연층, 소스 전극 및 드레인 전극과 접하는 반도체층; 및 게이트 절연층과 접하며, 게이트 절연층을 통하여 반도체층과 대향하는 게이트 전극을 포함하며, 보호층이 Si 및 알칼리 토금속을 함유하는 제1의 복합 금속 산화물을 함유하는 제1의 보호층 및, 제1의 보호층과 접하도록 형성되며, 알칼리 토금속 및 희토류 원소를 함유하는 제2의 복합 금속 산화물을 함유하는 제2의 보호층을 함유하는 전계 효과형 트랜지스터에 관한 것이다. |
