发明名称 Organic doping material for memory device nonvolatile memory device including the same and method of manufacturing the same
摘要 본 발명은 메모리 소자용 유기 도핑 재료, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 메모리 소자용 유기 도핑 재료는 메모리 소자의 반도체에 도핑됨에 따라 상기 반도체가 비휘발성 메모리 특성을 나타내는 효과가 있다. 이에 따라, 강유전 특성을 갖는 게이트 절연체를 사용하지 않고 비휘발성 및 쌍안정성 메모리 거동 특성을 갖는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.
申请公布号 KR101636137(B1) 申请公布日期 2016.07.04
申请号 KR20140098158 申请日期 2014.07.31
申请人 포항공과대학교 산학협력단 发明人 이태우;서문도;민성용;안교한;문현수
分类号 C07D277/66;H01L21/8247;H01L27/115;H01L51/05 主分类号 C07D277/66
代理机构 代理人
主权项
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