| 发明名称 |
GERMANIUM-BASED QUANTUM WELL DEVICES |
| 摘要 |
양자 웰 트랜지스터는 게르마늄 양자 웰 채널 영역을 구비한다. 실리콘 함유 에칭 정지층은 채널에 가까운 게이트 유전체의 용이한 배치를 제공한다. Ⅲ-Ⅴ족 장벽층은 채널에 변형을 부가한다. 채널 영역 위 아래의 그레이디드 실리콘 게르마늄 층들은 성능을 향상시킨다. 다수의 게이트 유전체 물질은 하이-k 값의 게이트 유전체의 사용을 가능하게 한다. |
| 申请公布号 |
KR101640420(B1) |
申请公布日期 |
2016.07.18 |
| 申请号 |
KR20147003586 |
申请日期 |
2010.12.09 |
| 申请人 |
인텔 코포레이션 |
发明人 |
필라리세티 라비;진 빈-위;추-쿵 벤자민;메츠 매튜 브이;카발리에로스 잭 티;라도사블제빅 마르코;코틀야 로자;라츠마디 윌리;무커르지 닐로이;드웨이 길버트;차우 로버트 |
| 分类号 |
H01L21/335;H01L29/778;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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