| 发明名称 |
(B1) ;PROCESS FOR GENERATION DOPED REGIONS IN SEMICONDUCTOR WAFERS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
PL223318(A1) |
申请公布日期 |
1981.10.16 |
| 申请号 |
PL19800223318 |
申请日期 |
1980.04.08 |
| 申请人 |
INST TECH ELEKTRONOWEJ |
发明人 |
SACZYK KRZYSZTOF;BRZEZINSKA DANUTA;KRYLOW JANUSZ;BAYKOWSKI JACEK;KUNICKI JANUSZ;KUCHAREK TERESA;BUDZYNSKI TADEUSZ;KOTRASINSKI WLADYSLAW;MACIALOWICZ ANNA;BAKOWSKI ALEKSANDER |
| 分类号 |
H01L;H01L21/22;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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