| 发明名称 |
DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A GRILLE PROFONDE, SON APPLICATION A UNE DIODE BLOCABLE, ET PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A GRILLE PROFONDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION.</P><P>CE DISPOSITIF COMPREND UN SUSTRAT DE SILICIUM 10 DANS LEQUEL SONT FORMEES DES RAINURES EN U 15. LES PARTIE LATERALES ET LE FOND DES RAINURES SONT ISOLES PAR UNE COUCHE DE SILICE 16. EN-DESSOUS DU FOND DES RAINURES EST FORMEE UNE ZONE IMPLANTEE DIFFUSEE 17. AINSI, UNE METALLISATION PRINCIPALE 18 RECOUVRANT LA FACE PRINCIPALE PERMET D'ETABLIR UN CONTACT AVEC LA FACE SUPERIEURE DE LA COUCHE 11. LES PARTIES DE CETTE METALLISATION TOMBANT DANS LES RAINURES 15 NE PRODUISENT PAS D'EFFET PARASITE ETANT DONNE QUE LES PAROIS ET LE FOND DE CES RAINURES SONT ISOLES.</P><P>APLLICATION A DES DIODES BLOCABLES ET AUTRES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS A GRILLE PROFONDE.</P>
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| 申请公布号 |
FR2480502(A1) |
申请公布日期 |
1981.10.16 |
| 申请号 |
FR19800008271 |
申请日期 |
1980.04.14 |
| 申请人 |
THOMSON CSF |
发明人 |
JACQUES ARNOULD ET EUGENE TONNEL;TONNEL EUGENE |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/80;(IPC1-7):H01L29/40;H01L21/30;H01L29/38 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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