| 摘要 |
Une structure a circuit integre a (CMOF) qui n'est pas susceptible de presenter de probleme de verrouillage utilise des transistors a effet de champ a porte isolee possedant une source et des drains a barriere Chottky (FB-IGSET). Dans un mode de realisation preferentiel, le dispositif a (n-canaux) d'une paire adjacente complementaire de transistors dans un circuit (CMOS) est pourvu d'une source (par exemple 42) et d'un drain par exemple (43) diffuses tandis que le dispositif a p-canaux de la paire est pourvu d'une source de contact (par exemple 47) et d'un drain (par exemple 48) a barriere Chottky (PpFi-Si). Une telle structure permet d'eliminer completement la structure parasite (pnpn) qui provoque le probleme de verrouillage dans les structures conventionnelles (CMOS). |
