HIGH SPEED VLSI SELF-ALIGNMENT SCHOTTKY METAL AND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF PRODUCING SAME,申请号JP19810019576-传众专利搜索

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发明名称	HIGH SPEED VLSI SELF-ALIGNMENT SCHOTTKY METAL AND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF PRODUCING SAME
摘要
申请公布号	JPS56131964(A)	申请公布日期	1981.10.15
申请号	JP19810019576	申请日期	1981.02.12
申请人	XEROX CORP	发明人	IZUYA BORU
分类号	H01L29/80;H01L21/268;H01L21/338;H01L29/08;H01L29/47;H01L29/812;H01L29/872	主分类号	H01L29/80
代理机构		代理人
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