| 摘要 |
본 발명은 플로팅 게이트 전극을 구비한 불휘발성 메모리 소자의 구동 전압을 높게 하지 않고, 불휘발성 메모리 소자, 및 두꺼운 게이트 절연막을 구비한 고내압형 트랜지스터를 동일 기판 위에 형성한다. 불휘발성 메모리 소자의 섬 형상의 반도체 영역과 플로팅 게이트 전극간, 및, 트랜지스터의 섬 형상의 반도체 영역과 게이트 전극 간에는, 제1 절연막과 제2 절연막의 적층막이 형성되어 있다. 제1 절연막은 플로팅 게이트 전극과 중첩되는 부분이 제거되어 있고, 섬 형상의 반도체 영역과 플로팅 게이트 전극 간의 절연막이 트랜지스터의 게이트 절연막보다 얇게 되어 있다. 트랜지스터는 플로팅 게이트 전극과 같은 층에 형성되어 있는 도전막과, 콘트롤 게이트 전극과 같은 층에 형성되어 있는 도전막을 가지고, 이들 2개의 도전막은 전기적으로 접속되어, 트랜지스터의 게이트 전극으로서 기능한다. |
