发明名称 CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER WITH REDUCED POWER DISSIPATION.
摘要 Amplificateur operationnel (10) compose d'element MOSFET servant de circuit variable d'attaque pour un etage de sortie (18) se traduisant par une plus faible dissipation de puissance et un facteur de gain accru par rapport aux autres circuits comparables utilisant un circuit d'attaque a polarisation constante pour l'etage de sortie. Une section de polarisation (14) se composant d'element MOS complementaire (24, 26) est connectee a un MOSFET simple (40) qui fournit un courant constant a la section d'entree de signal d'une section d'amplificateur differentiel (20). La sortie de cet amplificateur differentiel est fournie par un chemin directement a un element complementaire MOSFET (72) d'un etage de sortie a haute impedance et par un autre chemin a une section de changement de niveau (16) qui fournit une sortie pour un deuxieme element complementaire MOSFET (80) de l'etage de sortie. Le circuit fonctionne ainsi en classe A-B avec une faible dissipation de puissance et consent un gain de boucle ouverte eleve. Les realisations additionnelles utilisent trois elements MOSFET (104, 106, 108) dans la section de changement de niveau ou un etage de sortie additionnel compose d'un transistor NPN (120) combine a un MOSFET a canal N (122).
申请公布号 EP0037406(A1) 申请公布日期 1981.10.14
申请号 EP19800901914 申请日期 1981.04.08
申请人 AMERICAN MICROSYSTEMS, INCORPORATED 发明人 HAQUE, YUSUF AMINUL
分类号 H03F3/16;H03F3/18;H03F3/26;H03F3/30;H03F3/45;(IPC1-7):03F3/16;03F3/45 主分类号 H03F3/16
代理机构 代理人
主权项
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