| 发明名称 |
FINFET COMBINATION FINFET AND METHODS OF FORMING SAME |
| 摘要 |
실시형태 핀 전계 효과 트랜지스터는반도체 기판과 게이트 스택으로부터 상방으로 연장되는 핀을 포함한다. 핀은 채널 영역을 포함한다. 게이트 스택은 채널 영역의 측벽 위에 배치되어 채널 영역의 측벽을 커버한다. 채널 영역은 적어도 2개의 상이한 반도체 물질을 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR101656954(B1) |
申请公布日期 |
2016.09.12 |
| 申请号 |
KR20140184228 |
申请日期 |
2014.12.19 |
| 申请人 |
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 |
发明人 |
후앙 유-리엔;펑 츠-시우;리 퉁-잉;차이 밍-후안;완 클레멘트 싱젠 |
| 分类号 |
H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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