| 摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UN MATERIAU COMPOSITE, ET NOTAMMENT UN MATERIAU POUR UNE PLAQUETTE QUI EST DISPOSEE DANS UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ENTRE UNE PASTILLE DE MATIERE SEMI-CONDUCTRICE ET UN ELEMENT FAIT D'UNE MATIERE DONT LE COEFFICIENT DE DILATATION THERMIQUE EST BEAUCOUP PLUS ELEVE QUE CELUI DE LA MATIERE SEMI-CONDUCTRICE, NOTAMMENT UN ELEMENT DE CONNEXION EN CUIVRE OU EN ALUMINIUM POUR LE COURANT ELECTRIQUE A L'ENTREE OU A LA SORTIE DU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR.CE MATERIAU COMPOSITE SE COMPOSE D'UNE MATRICE 22 D'UN ALLIAGE D'ENVIRON 64 EN POIDS DE FER ET D'ENVIRON 36 EN POIDS DE NICKEL OU D'UN AUTRE ALLIAGE CONTENANT DU FER ET DU NICKEL ET AYANT UN COEFFICIENT DE DILATATION THERMIQUE DE 3.10K AU MAXIMUM DANS LES LIMITES DE LA GAMME DE TEMPERATURE DE 20C A 100C, AINSI QUE DE VEINES 23 DE CUIVRE QUI S'ETENDENT DANS UNE DIRECTION DANS LA MATRICE ET SONT REPARTIES DANS CETTE DERNIERE, LE CUIVRE ET L'ALLIAGE ETANT UNIS METALLURGIQUEMENT PAR UNE COUCHE LIMITE CONTENANT DU CUIVRE ET L'ALLIAGE ET AYANT UNE EPAISSEUR DE 5MICRONS AU MAXIMUM. |
